，三星电子去年开始将DDR5 DRAM商业化，这是业界第一个应用高K金属栅极工艺开发的DRAM技术。
分析师Tech Insights表示，三星电子已经向祁智提供了基于高k金属栅极技术的Dr5DRAM内存颗粒。
我们已经确认三星电子的HKMG DDR5 DRAM用于琪琪三叉戟Z5系列产品该机构还预计HKMG将成为下一代DRAM行业的新标准
TechInsights一直在拆解市场上的各种IT产品，分析设备中嵌入的芯片的信息通过这次拆解，TechInsights揭示了三星电子HKMG DDR5 DRAM的量产产品，并发布了其内部电路的照片
本站了解到，三星电子在去年3月首次宣布研发成功DDR5 DRAM，并在业界首次实现了HKMG工艺的大规模应用据介绍，DDR5的数据处理速度是DDR4的两倍，最开始可以达到4800MHz，容量也会有所提升，但延迟会相对上升
HKMG技术传统上用于逻辑半导体器件与传统材料技术相比，HKMG可以显著改善渗漏情况三星曾表示，这项技术可以降低约13%的内存功耗，对于注重能效的数据中心等应用具有重要意义但三星并未透露内存的实际商用情况，只是表示，我们计划在下一代产品中根据客户需求及时实现内存商用
郑重声明：此文内容为本网站转载企业宣传资讯，目的在于传播更多信息，与本站立场无关。仅供读者参考，并请自行核实相关内容。
