文泰技术的基础半导体器件制造商Nexperia最近宣布，它已经扩展了用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，并推出了10款完全优化的25V和30V器件这款新设备将领先的增强型安全工作区性能与超低RDS相结合，非常适合12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备
Nexperia不断增强器件中关键MOSFET的性能，以满足特定应用的要求，从而打造领先的ASFET自ASFET推出以来，针对电池隔离，DC电机控制，以太网供电和汽车安全气囊的产品优化和升级取得了成功
浪涌电流给热插拔应用带来了可靠性挑战Nexperia专门升级了这些应用，为热插拔和软启动设计了ASFET产品组合，并增强了SOA性能与之前的技术相比，PSMNR67—30YLE ASFET的SOA 性能提高到2.2倍，而RDS低至0.7mΩ与未优化的器件相比，新器件不仅消除了Spirito效应，而且在整个电压和温度范围内保持了优异的性能
Nexperia在125℃下完整表征了新器件，并提供了高温下的SOA数据曲线，从而消除了热降额设计的必要性，从而为设计人员提供了进一步的支持。
据本站称，现在有八款新产品可以采用LFPAK56或LFPAK56E封装，RDS范围为0.7m至2m，适合大多数热插拔和软启动应用另外两款25V产品的RDS更低，只有0.5m，预计未来几个月发布
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