据华工激光半导体产品总监黄伟介绍，晶圆机械切割的热影响和崩边宽度约 20 微米，传统激光在 10 微米左右，而经过一年努力，华工科技的半导体晶圆切割技术成功实现升级，热影响降为 0，崩边尺寸降至 5 微米以内，切割线宽可做到 10 微米以内。
IT之家注:晶圆切割和芯片分离无论采取机械或激光方式，都会因物质接触和高速运动而产生热影响和崩边，从而影响芯片性能。
据透露，华工激光正在研发第三代半导体晶圆激光改质切割设备，计划今年 7 月推出新产品，同时也正在开发我国自主知识产权的第三代半导体晶圆激光退火设备。
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